Photo credit: Dan Hixson/University of Utah College of Engineering
Wetenschappers van de Universiteit van Utah hebben op basis van tinmonoxide een nieuw halfgeleidermateriaal voor chips ontwikkeld. Het 2D-materiaal maakt door zijn eigenschappen snellere en zuiniger processors mogelijk.
Het halfgeleidermateriaal tinmonoxide, gemaakt van tin en zuurstof, is slechts een atoom dik. Door deze eigenschap kunnen elektronen zich in een elektronische schakeling veel sneller voortbewegen dan in de 3D-materialen die in huidige chipontwerpen worden gebruikt, zoals silicium.
Door het 2D-halfgeleidermateriaal toe te passen in transistors, ‘stuiteren’ elektronen minder. Bovendien heeft het toegepaste tinmonoxide als voordeel dat deze in tegenstelling tot andere 2D-materialen als grafeen ook positieve landingen, elektronengaten, kan geleiden.
Sneller en zuiniger
De onderzoekers, die hun bevindingen hebben gepubliceerd in het vakblad Advanced Electronic Materials, stellendat het 2D-materiaal een ideale basis vormt voor nieuwe…